多靶復(fù)合磁控濺射鍍膜機，可滿足合金膜、單層膜、多層膜、導(dǎo)電膜、非導(dǎo)電膜和反應(yīng)濺射的需要，具有極高的實用性和通用性（三靶、垂直與共濺射合一、在線清洗基片等），能夠提供高水平功能薄膜研制，特別適合于半導(dǎo)體、新能源、磁性材料、儲氫材料、二維材料、超硬薄膜、固體潤滑薄膜、自潔凈薄膜、等領(lǐng)域前沿研究，同時可選配等離子刻蝕功能和輔助鍍膜。

1. 主體和腔室。全封閉框架結(jié)構(gòu)，機柜和主機為一體式結(jié)構(gòu)，骨架默認為白色，門板為白色，四只腳輪，可固定，可移動。

真空腔室采用優(yōu)質(zhì)0Cr18Ni9不銹鋼材質(zhì)（SUS304），腔體尺寸不小于為：ø450x500mm；真空室為前開門方式，采用鉸鏈連接，自動鎖緊，并配有門到位開關(guān)，徹底杜絕誤操作；真空腔室設(shè)置DN100觀察窗口，位置在真空腔體正前方。

2. 真空系統(tǒng)。

2.1 極限真空度

   ≤Pa（空載、經(jīng)充分烘烤除氣并充干燥氮氣）。

2.2 真空配置。 前級泵為機械真空泵，***大抽速優(yōu)于8L/S，超高分子泵一臺，抽速1200L/S。

2.3 真空測量。采用進口全量程真空計，優(yōu)選德國萊寶與瑞士inficon。

3. 工件盤系統(tǒng)。配備工件盤一套，可安裝4英寸基片1片，選配高溫工件盤＜800℃。

4. 磁控濺射系統(tǒng)。配置三只2-4英寸濺射陰極，三只靶均能兼容直流和射頻濺射，并可單獨自由切換，磁控靶安裝與真空室底部，向上濺射成膜；

5.充氣系統(tǒng)。二路分別配置MFC質(zhì)量流量控制器，均為0-100SCCM，準確度±1%F.S，線性±0.5%F.S,重復(fù)精度±0.2%F.S；

5. 其他。配置斷水保護，配置冷水機組，冷水機制冷量為5000Kcal；設(shè)備配備小型靜音空壓機；保修期1年，維修響應(yīng)時間不超過24小時；

6. 操作系統(tǒng)及安全監(jiān)控。采用人機界面+西門子PLC實現(xiàn)對設(shè)備集中自動控制；所有控制系統(tǒng)和電氣安裝均與主機集成在一起，避免控制柜與主機之間線路放在地上或從頂部引入帶來的問題，模塊化設(shè)計能確保社保維護維修的便捷性。