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擴(kuò)散爐主要滿足半導(dǎo)體電力電子器件行業(yè)、大功率集成電路等行業(yè)，對(duì)所加工硅片進(jìn)行擴(kuò)散、氧化、退火、合金等工藝。主要由擴(kuò)散爐加熱爐體、氣源系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、超凈化操作系統(tǒng)等組成。選用工控機(jī)微控方式或者程控方式操作。
技術(shù)指標(biāo)： 可處理硅片尺寸：2—12英寸 工作溫度：200℃—1300℃ 恒溫區(qū)長度及精度：200mm—1100mm≤±0.5℃ 單點(diǎn)溫度穩(wěn)定性、重復(fù)性：≤±1.5℃／24h 溫度斜變：可控升溫速率20℃／min， 可控降溫速率：5℃／min 送片裝置：全自動(dòng)懸臂推拉舟、拉桿是推拉舟、手動(dòng)推拉 氣路系統(tǒng)：1—5路工藝氣體／管 氣體控制：全自動(dòng)MFC、手動(dòng)浮子流量計(jì) 控制方式：工控機(jī)、觸摸屏
浙公網(wǎng)安備 33010602000811號(hào)
供應(yīng)商參考報(bào)價(jià)：￥888
太陽能光伏：
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